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  1. 紀要(神奈川工科大学研究報告)
  2. B 理工学編
  3. 第21号-第30号(1996年度-2005年度)
  4. 第25号

UV/ミリ波PCD法における最大感度条件とSiエピタキシャルウェーハおよび極表面層評価

https://doi.org/10.34411/00000900
https://doi.org/10.34411/00000900
4ba6b742-e14f-4c10-ae9e-fe48a4f4af8b
名前 / ファイル ライセンス アクション
kkb-025-005.pdf kkb-025-005.pdf (2.2 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-11-24
タイトル
タイトル UV/ミリ波PCD法における最大感度条件とSiエピタキシャルウェーハおよび極表面層評価
言語 ja
タイトル
タイトル Condition for Maximum Sensitivity in UV/Millimeter-Wave PCD Technique and Characterization of Epitaxial Layer and Subsurface Damage in Si Wafers Using Its Technique
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 UV/millimeter-wave
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 photoconductivity
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Silicon wafer
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Subsurface damage
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Epitaxial wafer
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34411/00000900
ID登録タイプ JaLC
著者 荻田, 陽一郎

× 荻田, 陽一郎

ja 荻田, 陽一郎

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願念, 雄一郎

× 願念, 雄一郎

ja 願念, 雄一郎

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Ogita, Yoh-ichiro

× Ogita, Yoh-ichiro

en Ogita, Yoh-ichiro

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Gannen, Yu-ichiro

× Gannen, Yu-ichiro

en Gannen, Yu-ichiro

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The technique for high measurement sensitivity in UV/Millimeter-wave PCD technique with 100 GHz millimeter wave has been discussed theoretically and experimentally. The maximum sensitivity was obtained near the matching between a radiated 100Ghz wave and Si wafer samples. The technique detected epilayer contamination as 1011 cm -3 order of Mo and Fe induced in the epitaxial crystal growth process. The technique also detected very slight subsurface damage induced by mirror polishing in commercial level wafers. The PCA signal with the technique well reflected removal of the damage by SCI cleaning. The behavior of PCA measured well agreed with the recovery of gate oxide integrity in MOS devices. The damage depth was determined to be 21 nm. PCA in UV/Millimeter-wave technique well revealed the subsurface damage induced by the final mirror polishing
言語 en
書誌情報 神奈川工科大学研究報告.B,理工学編

巻 25, p. 29-33, 発行日 2001-03-20
出版者
出版者 神奈川工科大学
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09161902
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN10074179
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-05-15 15:06:15.040032
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