| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
CF4プラズマにおけるCF2ラジカルに及ぼす壁温度加熱の影響 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Influence of Wall Heating on CF2 Radical in CF4 Plasma |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
etching plasma |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
CF2 radical wall temperature |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
surface process |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000915 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
愛敬, 仁
後藤, みき
荒井, 俊彦
Aikyo, Satoshi
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The behavior of CF2 radicals was studied as a function of the temperature of the wall of the cylindrical cathode in de-pulsed CF4 hollow cathode discharge plasma. Laser-induced fluorescence was used to examine the temporal behavior and radial distribution of CF2 radical density. The CF2 radical density increased about six times of magnitude by changing the wall temperature between 22℃ and 100℃. The surface loss probability for CF2 radicals was estimated from the radial distribution of the CF2 radical density in the active plasma. The results show that the increase of the CF2 radical density in the heated wall can be interpreted as a decrease in the surface loss probability of CF2 radicals. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 B,
号 26,
p. 11-14,
発行日 2002-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-026-003.pdf (1.6 MB)
