| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
MgO電極を用いたCVDダイヤモンドの反応性イオンエッチング |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Reactive ion etching of CVD diamond using MgO electrodes |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diamond etching |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
reactive ion etching |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
O2 plasma |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MgO electrode |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00001001 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
三栖, 貴行
柳井, 潤
後藤, みき
荒井, 俊彦
Misu, Takayuki
Yanai, Jun
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Chemical vapor deposition (CVD) diamond etching was investigated in reactive ion etching system using MgO sintered ceramic electrode. MgO electrode system was consisted of two parallel disks with 7cm in diameter. The RF power (13.56MHz) was fixed to be constant as 100W. O2 was supplied to the chamber via mass flow controller. The flow rate, total pressure, and electrode distance were 20sccm, 10Pa, and 2cm, respectively. The polycrystalline diamond films of approximately 14μm thickness on silicon wafers (5x5mm) were used as samples. The diamond etching rate increased about 50 percent when stainless steel electrode was substituted for MgO electrode. The increase of etching rate is probably due to increase of the electron density. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 31,
p. 43-45,
発行日 2007-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-031-006.pdf (1.2 MB)
