WEKO3
アイテム
磁性半導体中の格子欠陥
https://doi.org/10.34411/00001017
https://doi.org/10.34411/000010179a79e6b5-0f39-4209-b649-bcb1ead24a72
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
kkb-032-001.pdf (3.9 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-11-24 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 磁性半導体中の格子欠陥 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Defect electron states in magnetic semiconductors | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | magnetic semiconductor (MS) | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | exchange interaction | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | coherent potential approximation (CPA) | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | impurity | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | defect | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.34411/00001017 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
高橋, 正雄
× 高橋, 正雄
× Takahashi, Masao
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | We have studied thet wo types of impurity electron states in magnetic semiconductors as EuO; the donor electron state introduced by Gd-doped and the trapped electron state on O-ion vacancy. The conduction electrons are strongly affected by magnetic order, i.e. the magnetic field and temperature, through the s -f exchange interaction. The effect of magnetic order on the bound electron will be different from that on the conduction states. In this study, we studied two specific cases, the paramagnetic state and the completely ferromagnetic case. We also discuss the mechanism of metal-insulator transition in Eu-rich EuO. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編 巻 32, p. 1-7, 発行日 2008-03-20 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 神奈川工科大学 | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 09161902 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AN10074179 | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
