Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
公開日 |
2020-11-24 |
タイトル |
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タイトル |
スパッタ法によるMgO薄膜の作製と放電特性 |
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言語 |
ja |
タイトル |
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タイトル |
Fabrication of MgO thin films deposited by sputtering and their discharge properties |
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言語 |
en |
言語 |
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言語 |
jpn |
キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MgO thin films |
キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
sputtering |
キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Breakdown voltage |
キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Cold cathode |
キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
LCD backlighting |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00001039 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
著者 |
三栖, 貴行
杉本, 真教
浪江, 正宗
後藤, みき
荒井, 俊彦
Misu, Takayuki
Sugimoto, Masanori
Namie, Masamune
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
MgO thin films have been deposited on quartz glass substrates by RF magnetron sputtering using a MgO target in Ar/O2 mixture gas. The films were evaluated using scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The columnar structure of cross sections for MgO films deposited by the sputtering gas of Ar/O2 mixture becomes clearly with O2 percentage increase. The breakdown voltages for electrodes of MgO films were measured under various Ne pressures by the V-Q Lissajous method. The breakdown voltages for MgO films deposited in Ar/O2 mixture decreases with O2 percentage increase. |
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言語 |
en |
書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 33,
p. 43-46,
発行日 2009-03-20
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出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |