| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
太陽電池セルp 形Si 用アルミナパッシベーション膜のCat-CVD 法による作製とその評価 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Preparation of alumina passivation-films in p-Si for solar cells by catalytic chemical vapor deposition and its evaluation |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Aluminum oxide |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Cat-CVD |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Passivation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Surface recombination velocity |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00001060 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
立原, 誠之
荻田, 陽一郎
會澤, 洋太朗
齋藤, 直之
Tachihara, Masayuki
Ogita, Yoh-Ichiro
Aizawa, Yotaro
Saito, Naoyuki
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Passivation effects of AlOx films were investigated for p-type crystalline Si for solar calls. AlOx films were deposited by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) using tri-methyl aluminum (TMA) and molecular oxygen (02) mixture. Surface recombination velocities at the interface of AlOx/Si was measured to be below 10-6 crn/s for AlOx films deposited with 02'TMA gas flow-rate ratios of 15 to 35. The extremely small S。wasmainly accomplished by the band bending due to negative fixed charge of an order of 1012cm-2 and by the assist due to the decrease of the interface trapping density Dit in accompany with negative fixed charge |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 35,
p. 63-66,
発行日 2011-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12669200 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-035-011.pdf (980.4 kB)
