| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
スパッタ法によるMgO 薄膜電極の二次電子放出係数に及ぼす基板温度と膜厚の影響 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Effect of substrate temperature and film thickness on the secondary electron coefficient of MgO thin film electrode by sputtering |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MgO thin films |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
sputtering |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Breakdown voltage |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
secondary electron emission coefficient |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
cold cathode |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00001064 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
三栖, 貴行
浪江, 正宗
後藤, みき
荒井, 俊彦
Misu, Takayuki
Namie, Masamune
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
MgO thin films were prepared on quartz glass substrates by RF magnetron sputtering using a MgO target. The secondary electron emission coefficient for MgO thin films was examined in relation to substrate temperature and film thickness. The breakdown voltage for MgO thin films was measured by the V-Q Lissajous method. The determination of the secondary electron emission coefficient was based on the measured breakdown voltage and Townsend's breakdown criterion. It is found that the secondary electron emission coefficient has a maximum at the substrate temperature of about 500℃ and the film thickness of around 20nm. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 35,
p. 37-39,
発行日 2011-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12669200 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-035-007.pdf (753.7 kB)
