| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
UV/ミリ波光導電法によるシリコンウェーハ研磨時表面/表面層の評価 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Surface/Subsurface Characterization of Polishing Silicon Wafers with UV/Millimeter-wave Photoconductivity Technique |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Photoconductivity amplitude |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Carrier lifetime |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface damage |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Surface microroughness\nUV |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Millimeter wave |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Ph otoconductivity decay |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Silicon wafer |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000812 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
篠原, 洋
荻田, 陽一郎
Shinohara, Hiroshi
Ogita, Yo-ichiro
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The photoconductivity amplitude (PCA) signals and initiai carrier lifetimes are measured for characterizing subsurface damages in Si wafers with various polishing surface, using UV/millimeter-wave technique. The correlation between the initial region carrier lifetimes, surface micro roughness Rms, heavy metals contamination, PCA signals, and pulse photoconductivity
amplitude (PPCA) leads that the initial carrier lifetime characterizes well subsurface damages introduced by mirror polishing. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 22,
p. 73-77,
発行日 1998-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-022-013.pdf (1.9 MB)
