WEKO3
アイテム
Electrical Resistivity due to s-f Exchange Interaction in Degenerate Ferromagnetic Semiconductors
https://doi.org/10.34411/00000818
https://doi.org/10.34411/0000081825c4127d-61f5-4c84-81cd-f27547c10f3e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kkb-022-032.pdf (3.1 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-11-24 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Electrical Resistivity due to s-f Exchange Interaction in Degenerate Ferromagnetic Semiconductors | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | s-f model | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | electrical resistivity | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | magnetoresistance | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | magnetic semiconductor | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | EuS | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | double exchange interaction | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.34411/00000818 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
高橋, 正雄
× 高橋, 正雄
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | Applying the single-site approximation to the s-f model, the electrical resistivity in a degenerate ferromagnetic semiconductor is studied theoretically. It is revealed that in the weak exchange-interaction limit, the resistivity of the up-spin electron agrees with that obtained by the Born approximation, while the resistivity of the down-spin electron retains a finite value even at T = 0, which is due to the spin-flip scattering process. The density of states and electrical resistivity for the strong exchange-interaction limit are also calculated. The results of electrical resistivity show a similar temperature and magnetic field dependence for a wide range of exchange-interaction strengths. |
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| 言語 | en | |||||||||
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編 巻 22, p. 213-222, 発行日 1998-03-20 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 神奈川工科大学 | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 09161902 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AN10074179 | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
