| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
水素イオン注入Siウェーバ表面層のPCAによる評価 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Surface Characterization of H2+ Impianted Silicon Wafers Using Photoconductivity Amplitude |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si wafer |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface characterization |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PCA |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Hydrogen ion implantation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PCD |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Millimeter-wave |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000842 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
小林, 謙一
荻田, 陽一郎
近藤, 英之
加藤, 健夫
Kobayashi, Ken-ichi
Ogita, Yo-ichiro
Kondo, Hideyuki
Katoh, Takeo
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
UV/mm-wave PCD technique is examined by characterizing Si wafer subsurface damages induced by H2+ ion implantation. PCA signals well reflects to the subsurface damage corresponding to H2+ implanted quantity of 1x1015cm-2 to 7x1016cm-2 in round of 0.23μm depth.The damage in subsurface (0.18~0.23μm) is well reflected by PCA signals. UV/mm-wave PCD technique is confirmed to reveal the subsurface damage within a quarter micron depth of Si wafers. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 23,
p. 39-43,
発行日 1999-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-023-007.pdf (1.7 MB)
