| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
鏡面研磨Siウェーハ表面層のパルス光導電振幅による評価 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Subsurface Characterization of Mirror Polished Si Wafers Using Pulse Photoconductivity Amplitude |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PPCA signal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Continuity equations |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface damage |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Photoconductivity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Chemomechanical polishing |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si wafer |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000849 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
黒川, 昌毅
荻田, 陽一郎
Kurokawa, Masaki
Ogita, Yo-ichiro
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Theoretical analysis on relationship between pulse photoconductivity amplitude (PPCA), surface recombination velocity (S0) and back surface recombination velocity (Sw) shows that PPCA is dependent on S0 but not dependent on Sw>3000cm/s. PPCA and microroughness measured for polishing pressure in a CMP process reveal the minimum of surface microroughness Rrms at 65g/cm2 and behavior of subsurface damages. PPCA was reconfirmed to well reflect to subsurface damage from the agreement with initial carrier lifetime measured with UV/mm-wave technique. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 23,
p. 33-38,
発行日 1999-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-023-006.pdf (2.5 MB)
