WEKO3
アイテム
電子ビームを用いたSiウェーハ表面層評価法の検討
https://doi.org/10.34411/00000851
https://doi.org/10.34411/00000851af74a629-854a-4ba9-a851-045f14d9785e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
kkb-023-008.pdf (1.5 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2020-11-24 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | 電子ビームを用いたSiウェーハ表面層評価法の検討 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | A Method on Subsurface Characterization of Silicon Wafers Using Electron Beam | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Electron-beam | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Subsurface characterization | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Subsurface damage | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Conductivity | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Si wafer | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||||
| ID登録 | 10.34411/00000851 | |||||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||||
| 著者 |
佐々木, 謙孝
× 佐々木, 謙孝
× 荻田, 陽一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | Electron-beam exited carrier profiles in Si wafer subsurface are calculated analytically. Carrier profiles can be induced within 1μm using acceleration voltage <3.5 keV. Spatial resolution of 0.1μm and 0.2μm can be obtained using an electron-beam with a pulse-width of 0.01ns and 0.1ns, respectively. The electron-beam excitation is enable to characterize properties in a subsurface within 1μm of silicon wafers. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編 巻 23, p. 45-48, 発行日 1999-03-20 |
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| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | 神奈川工科大学 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 09161902 | |||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AN10074179 | |||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
