| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
電子ビームを用いたSiウェーハ表面層評価法の検討 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
A Method on Subsurface Characterization of Silicon Wafers Using Electron Beam |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Electron-beam |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface characterization |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface damage |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Conductivity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si wafer |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000851 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
佐々木, 謙孝
荻田, 陽一郎
Sasaki, Kanetaka
Ogita, Yo-ichiro
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Electron-beam exited carrier profiles in Si wafer subsurface are calculated analytically. Carrier profiles can be induced within 1μm using acceleration voltage <3.5 keV. Spatial resolution of 0.1μm and 0.2μm can be obtained using an electron-beam with a pulse-width of 0.01ns and 0.1ns, respectively. The electron-beam excitation is enable to characterize properties in a subsurface within 1μm of silicon wafers. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 23,
p. 45-48,
発行日 1999-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-023-008.pdf (1.5 MB)
