| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
Si表面層H+イオン注入ダメージのパルス光導電振幅(PPCA)による評価 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Pulse Photoconductivity Amplitude(PPCA)Characterization of Silicon Subsurface Damage Induced by H+ Implantation |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si wafer |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PPCA signal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface characterization |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
H+ ion implantation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Haze |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000867 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
黒川, 昌毅
荻田, 陽一郎
加藤, 健夫
近藤, 英之
Kurokawa, Masaki
Ogita, Yo-ichiro
Katoh, Takeo
Kondo, Hideyuki
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
H+ ion implanted damage in a subsurface of Si wafers and its depth profile has been characterized by pulse photoconductivity amplitude (PPCA) measured with blue-laser photoexitation and microwave reflection. PPCA signals decreased with increasing of implantation dose of H+ as well as decrease of photoconductivity amplitude (PCA) measured by UV photoexicitation / millimeter wave detection. PPCA well reflected the damage profile as well as PCA signs and haze signals simultaneously obtained by a light scattering method. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 24,
p. 45-51,
発行日 2000-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-024-007.pdf (2.8 MB)
