| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
電子ビームによるシリコン表面層のトモグラフィの検討 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
A Study on Tomography of Silicon Subsurface with Electron Beam |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Electron-beam |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface characterization |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Subsurface damage |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Conductivity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si wafe |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000880 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
佐々木, 謙孝
荻田, 陽一郎
Sasaki, Kanetaka
Ohtani, Kiyoshi
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Detection of defect profile in near surface of Si wafers using an electron beam has been considered with theoretical calculation in order to develop new characterization technique of near surface. Conductivity change induced by carrier excitation electron beam has been calculated based on using two and three layer model under various pulse-width and acceleration energy of the electron beam. Defect profile with 0.1μm can be characterized the pulse-width smaller than 100 ps. The tomography of near surface within Si wafer has been brought by the technique. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 24,
p. 57-61,
発行日 2000-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-024-009.pdf (2.0 MB)
