| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
O2/CF4プラズマ中のCVDダイヤモンド薄膜の反応性イオンエッチング |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Reactive Ion Etching of CVD Diamond Thin Films in O2/CF4 Plasma |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
reactive ion etching |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diamond |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
O2/CF4 plasma |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000897 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
竹村, 浩
三栖, 貴行
後藤, みき
荒井, 俊彦
Takemura, Hiroshi
Misu, Takayuki
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Reactive ion etching (RIE) of chemical vapor deposition (CVD) diamond thin films has been investigated in depth in O2 gas plasma mixed with CF4 and electrodes distance. The optical emission spectrum of the RF plasma was monitored to explore the etching mechanisms. The large etch rate is obtained by using O2/10-20%CF4 at electrodes distance of 1.5cm, RF power of 100W, O2 flow rate of 20sccm, total pressure of 20Pa plasma conditions. The emission intensity of O has a peak around O2/10-20%CF4. The results of etch rate and emission intensity agree well with each other. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 25,
p. 49-52,
発行日 2001-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-025-008.pdf (1.5 MB)
