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  1. 紀要(神奈川工科大学研究報告)
  2. B 理工学編
  3. 第21号-第30号(1996年度-2005年度)
  4. 第25号

O2/CF4プラズマ中のCVDダイヤモンド薄膜の反応性イオンエッチング

https://doi.org/10.34411/00000897
https://doi.org/10.34411/00000897
b198d6bc-b04a-4dd4-aba7-191b1977d986
名前 / ファイル ライセンス アクション
kkb-025-008.pdf kkb-025-008.pdf (1.5 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-11-24
タイトル
タイトル O2/CF4プラズマ中のCVDダイヤモンド薄膜の反応性イオンエッチング
言語 ja
タイトル
タイトル Reactive Ion Etching of CVD Diamond Thin Films in O2/CF4 Plasma
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 reactive ion etching
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 diamond
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 O2/CF4 plasma
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34411/00000897
ID登録タイプ JaLC
著者 竹村, 浩

× 竹村, 浩

ja 竹村, 浩

en Takemura, Hiroshi

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三栖, 貴行

× 三栖, 貴行

ja 三栖, 貴行

en Misu, Takayuki

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後藤, みき

× 後藤, みき

ja 後藤, みき

en Goto, Miki

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荒井, 俊彦

× 荒井, 俊彦

ja 荒井, 俊彦

en Arai, Toshihiko

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Reactive ion etching (RIE) of chemical vapor deposition (CVD) diamond thin films has been investigated in depth in O2 gas plasma mixed with CF4 and electrodes distance. The optical emission spectrum of the RF plasma was monitored to explore the etching mechanisms. The large etch rate is obtained by using O2/10-20%CF4 at electrodes distance of 1.5cm, RF power of 100W, O2 flow rate of 20sccm, total pressure of 20Pa plasma conditions. The emission intensity of O has a peak around O2/10-20%CF4. The results of etch rate and emission intensity agree well with each other.
言語 en
書誌情報 神奈川工科大学研究報告.B,理工学編

巻 25, p. 49-52, 発行日 2001-03-20
出版者
出版者 神奈川工科大学
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09161902
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN10074179
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-05-15 15:06:18.350281
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