| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
希薄磁性半導体の状態密度、光学吸収端およびバンド端の磁性イオンモル濃度依存性 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Magnetie Ion Mole Fraction Dependency of the Density of States, Optical Absorption Edges and Band Edges in Diluted Magnetic Semiconductors |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diluted magnetic semiconductor (DMS) |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
exchange interaction |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
coherent potential approximation (CPA) |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000926 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
高橋, 正雄
小瀧, 正則
渋井, 貴哲
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Applying the coherent potential approximation (CPA) with the t matrix elements to diluted magnetic semiconductors (DMS) of A 1-x Mn x B type, we calculate the density of states and the optical absorption edge in DMS's. Based on these numerical results, we evaluate the approximate expression for the band edge energy. In the appendix, we show a comparison between the approximate solution and the exact one for band edge energy of magnetic semiconductors. |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 26,
p. 119-123,
発行日 2002-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-026-019.pdf (2.0 MB)
