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  1. 紀要(神奈川工科大学研究報告)
  2. B 理工学編
  3. 第21号-第30号(1996年度-2005年度)
  4. 第27号

接触電位差によるSiウェーハ表面層評価

https://doi.org/10.34411/00000939
https://doi.org/10.34411/00000939
91c2c151-6bb8-4346-a190-611fe0330d63
名前 / ファイル ライセンス アクション
kkb-027-003.pdf kkb-027-003.pdf (2.9 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-11-24
タイトル
タイトル 接触電位差によるSiウェーハ表面層評価
言語 ja
タイトル
タイトル Silicon Subsurface Evaluation with Contact Potential Difference
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Contact potential difference
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Work function
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Silicon wafer
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Subsurface
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Subsurface characterization
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Epitaxial wafer
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Subsurface damage
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Contamination characterization
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34411/00000939
ID登録タイプ JaLC
著者 荻田, 陽一郎

× 荻田, 陽一郎

ja 荻田, 陽一郎

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山口, 昌一

× 山口, 昌一

ja 山口, 昌一

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Ogita, Yo-ichiro

× Ogita, Yo-ichiro

en Ogita, Yo-ichiro

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Yamaguchi, Masakazu

× Yamaguchi, Masakazu

en Yamaguchi, Masakazu

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Non-contacting evaluation method using contact potential difference is developed for evaluating subsurface property of silicon wafers. Measured contact differences for n-and ptype silicon crystals were well corresponding to that calculated. Positively and negatively charged surfaces of silicon wafers caused positive and negative contact potentiai difference, respectively. Contact potential differences well reflected damage induced in 200nm depth due to H2 + ion implantation. Contact potential differences reflected microroughness and damage induced by chemomechanical polishing. Influence of Mo and Fe contaminant introduced into epilayer of epitaxial Si wafers was detected to change contact potential difference. Finally, we conclude that contact potential difference measurements enable to revel crystalline property in silicon subsurface.
言語 en
書誌情報 神奈川工科大学研究報告.B,理工学編

巻 27, p. 13-18, 発行日 2003-03-20
出版者
出版者 神奈川工科大学
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09161902
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN10074179
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-05-15 15:05:38.939871
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