WEKO3
アイテム
Catalytic-CVDによるSi上アルミナ生成におけるTMA/O2分解の質量分析
https://doi.org/10.34411/00000953
https://doi.org/10.34411/00000953aaa74d89-4c7f-4c02-a700-1879c290b8cd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kkb-028-008.pdf (2.4 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-11-24 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Catalytic-CVDによるSi上アルミナ生成におけるTMA/O2分解の質量分析 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Mass Spectrometry of TMA/O2 Dissociation in Alumina Preparation on Silicon with Catalytic Chemical Vapor Deposition | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High-k MOS | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High-k gate | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High-k insulator | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Cat-CVD | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Alumina | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Al2O3 | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Quadrupole mass spectrometer | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Mass spectrum | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | TMA dissociation | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||||
| ID登録 | 10.34411/00000953 | |||||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||||
| 著者 |
冨田, 寿行
× 冨田, 寿行
× 荻田, 陽一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | We have investigated a dissociation of tri-methyl aluminum ((CH3)3Al,TMA) mixed with molecular oxygen (O2) dissociated by a tungsten hot wire in a catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method to deposit alumina thin films on a silicon crystal. The analysis was performed by a QMS (Quadrupole mass spectrometer). The dissociation of O2 was caused at about 900℃ for only O2 gas atmosphere and TMA at about 500℃ Dissociation of O2 mixed with TMA was caused at about 500℃ lower than 900℃. The temperature coincided with the temperature of 500℃ to abruptly grow Al2O3 on a Si crystal. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編 巻 28, p. 45-49, 発行日 2004-03-20 |
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| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | 神奈川工科大学 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 09161902 | |||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AN10074179 | |||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
