| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2020-11-24 |
| タイトル |
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タイトル |
O2/CF4プラズマによるダイヤモンドエッチングとプラズマパラメータ |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Etching of Diamond and Plasma Parameters in O2/CF4 Plasma |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
reactive ion etching |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diamond |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
anisotropic etching |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
O2/CF4 plasma |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.34411/00000956 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
三栖, 貴行
後藤, みき
荒井, 俊彦
Misu, Takayuki
Goto, Miki
Arai, Toshihiko
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Diamond films were etched using a reactive ion etching system in O2/CF4 plasma with narrow electrode gap. The maximum etching rate was obtained with the addition of 20%CF4 in O2 under conditions that the RF power was 100W, the gas pressure 20Pa and the total flow rate 20sccm. Langmuir probe and actinometry technique were used to detennine the plasma parameter. The electron temperature and O density had a peak around O2/20%CF4 |
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言語 |
en |
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編
巻 28,
p. 55-58,
発行日 2004-03-20
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| 出版者 |
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出版者 |
神奈川工科大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
09161902 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10074179 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kkb-028-010.pdf (1.7 MB)
