WEKO3
アイテム
Siウェーハの少数キャリヤ拡散係数
https://doi.org/10.34411/00000990
https://doi.org/10.34411/000009906d7ca686-d529-4d4a-a5fb-2de7b101168d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kkb-030-005.pdf (2.9 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-11-24 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Siウェーハの少数キャリヤ拡散係数 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Minority Carrier Diffusion Coefficient in Si Wafers | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Minority-carrier diffusion coefficient | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Minority-carrier mobility | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Si wafers | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Impurity scattering | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Electron-hole scattering | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Carrier transportation | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Carrier lifetime | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.34411/00000990 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
荻田, 陽一郎
× 荻田, 陽一郎
× Ogita, Yo-ichiro
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | A minority-carrier diffusion coefficient for silicon-crystal wafers is demonstrated to express experimental data and to adapt to useful applications. Doping density dependent minority-carrier mobility for Si crystals is theoretically developed along Klaassen scattering model. The model with parameters taken to fit to experimental data revels to well represent the dependence of doping concentration to 1020cm-3 for an n-type Si crystal and 1018cm-3 for a p-type one. A simple formula which represents doping density dependence of a minority-carrier mobiljty was newly deduced from the formula to represent the dependence for majority-carrier mobility. The simple formula proposed represents well the dependence of doping concentration to 1020 cm-3 for an n-type Si crystal and 1018cm-3 for a p-type one. Also is shown the simple formula to show doping density dependence of a minority-carrier diffusion coefficient modified from the above simple function for mobility is proposed to be useful in an application to carrier transport calculation with diffusion process in Si crystal wafers. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 書誌情報 |
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編 巻 30, p. 25-31, 発行日 2006-03-20 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 神奈川工科大学 | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 09161902 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AN10074179 | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
