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  1. 紀要(神奈川工科大学研究報告)
  2. B 理工学編
  3. 第21号-第30号(1996年度-2005年度)
  4. 第27号

Cat-CVDアルミナMISゲートの作製と特性

https://doi.org/10.34411/00000932
https://doi.org/10.34411/00000932
1a2affde-0b2d-44ea-8407-a30233f0286a
名前 / ファイル ライセンス アクション
kkb-027-002.pdf kkb-027-002.pdf (2.3 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2020-11-24
タイトル
タイトル Cat-CVDアルミナMISゲートの作製と特性
言語 ja
タイトル
タイトル Fabrication of Alumina MIS Gate with Cat-CVD and Its Characteristics Measurement
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Cat-CVD
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 High-k
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Alumina
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Al2O3
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Interface trap density
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Fixed charge density
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 MOS diode
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 C-V characteristics
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 I-V characteristics
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Leakage current
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.34411/00000932
ID登録タイプ JaLC
著者 家原, 清志

× 家原, 清志

ja 家原, 清志

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荻田, 陽一郎

× 荻田, 陽一郎

ja 荻田, 陽一郎

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冨田, 寿行

× 冨田, 寿行

ja 冨田, 寿行

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Iehara, Shinshi

× Iehara, Shinshi

en Iehara, Shinshi

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Ogita, Yo-ichiro

× Ogita, Yo-ichiro

en Ogita, Yo-ichiro

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Tomita, Toshiyuki

× Tomita, Toshiyuki

en Tomita, Toshiyuki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We have developed a catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method to deposit alumina thin films on a silicon crystal using N2 bubbled tri-methyl aluminum ((CH3)3Al,TMA) and molecule oxygen (O2) as source species and a tungsten wire as a catalyzer. The tungsten catalyzer decomposed TMA at about 600°C. The typical deposition rate was 18 nm/min for catalyzer temperature of 1000°C and substrate temperature of 800℃ and 6.5nm/min for substrate temperature of 400℃ MIS diodes were fabricated with the alumina gate on 32.5 nm thick amorphous film deposited at substrate temperature of 400°C. The capacitance measurement resulted in a relative dielectric constant of 7.4, fixed charge density of 1.74X 1012cm-2,a slight hysteresis voltage as 0.12V and very few interface trapping charges. The leakage current was 5.01 X1 0-7 A/cm2 at bias voltage of 1V.
言語 en
書誌情報 神奈川工科大学研究報告.B,理工学編

巻 27, p. 7-11, 発行日 2003-03-20
出版者
出版者 神奈川工科大学
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 09161902
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN10074179
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-05-15 15:05:44.747637
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